Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO252-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 0,805
Katrs (Paka ir 10) (bez PVN)
€ 0,974
Katrs (Paka ir 10) (Ieskaitot PVN)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Izvēlēties iepakojuma veidu
10
€ 0,805
Katrs (Paka ir 10) (bez PVN)
€ 0,974
Katrs (Paka ir 10) (Ieskaitot PVN)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu
10
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena | Per Iepakojums |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,805 | € 8,05 |
100 - 240 | € 0,764 | € 7,64 |
250 - 490 | € 0,733 | € 7,33 |
500 - 990 | € 0,701 | € 7,01 |
1000+ | € 0,443 | € 4,43 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO252-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC