MOSFET tranzistori

MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals. It acts very similarly to a switc...

Attēlo 1-20 no 12082 produktiem

Filtrs

Šķirot

Filtrs

Šķirot

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1
RS noliktavas nr.: 249-3346Ražotājs: InfineonRažotāja kods: BTN9990LVAUMA1

€ 3,993

Katrs (Rulli ir 2000) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N, P
115 A
40 V
PG HSOF-7
-
Surface Mount
7
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 249-3347Ražotājs: InfineonRažotāja kods: BTN9990LVAUMA1

€ 7,26

Katrs (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N, P
115 A
40 V
PG HSOF-7
-
Surface Mount
7
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5866Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD038N06NF2SATMA1

€ 0,52

Katrs (Rulli ir 2000) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
120 A
60 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5867Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD038N06NF2SATMA1

€ 0,992

Katrs (Paka ir 10) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
120 A
60 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5858Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB029N06NF2SATMA1

€ 1,195

Katrs (Rulli ir 800) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
120 A
60 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5859Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB029N06NF2SATMA1

€ 2,299

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
120 A
60 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5856Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB023N04NF2SATMA1

€ 1,188

Katrs (Rulli ir 800) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
122 A
40 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5857Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB023N04NF2SATMA1

€ 2,299

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
122 A
40 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5864Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD029N04NF2SATMA1

€ 0,559

Katrs (Rulli ir 2000) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
131 A
40 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5865Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD029N04NF2SATMA1

€ 1,331

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
131 A
40 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5863Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD028N06NF2SATMA1

€ 1,936

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
139 A
60 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5862Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD028N06NF2SATMA1

€ 0,915

Katrs (Rulli ir 2000) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
139 A
60 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5860Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD023N04NF2SATMA1

€ 0,701

Katrs (Rulli ir 2000) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
143 A
40 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5861Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPD023N04NF2SATMA1

€ 1,634

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
143 A
40 V
PG-TO252-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5855Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB018N06NF2SATMA1

€ 2,602

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
187 A
60 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5854Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB018N06NF2SATMA1

€ 1,331

Katrs (Rulli ir 800) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
187 A
60 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5846Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB013N06NF2SATMA1

€ 2,722

Katrs (Rulli ir 800) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
190 A
60 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5848Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB013N06NF2SATMA1

€ 4,78

Katrs (Paka ir 2) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
190 A
60 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr.: 262-5850Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB014N04NF2SATMA1

€ 2,238

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
191 A
40 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
RS noliktavas nr.: 262-5849Ražotājs: InfineonRažotāja kods: IPB014N04NF2SATMA1

€ 1,171

Katrs (Rulli ir 800) (bez PVN)

Pievienot grozam
Infineon
N
191 A
40 V
PG-TO263-3
-
Surface Mount
3
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-

...