Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2e+006 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
€ 0,039
Katrs (Paka ir 250) (bez PVN)
€ 0,047
Katrs (Paka ir 250) (Ieskaitot PVN)
Standarts
250
€ 0,039
Katrs (Paka ir 250) (bez PVN)
€ 0,047
Katrs (Paka ir 250) (Ieskaitot PVN)
Standarts
250
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena | Per Iepakojums |
---|---|---|
250 - 250 | € 0,039 | € 9,75 |
500 - 750 | € 0,039 | € 9,75 |
1000 - 1250 | € 0,035 | € 8,75 |
1500 - 2750 | € 0,035 | € 8,75 |
3000+ | € 0,032 | € 8,00 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2e+006 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon