Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 1,90
Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)
€ 2,299
Katrs (Paka ir 5) (Ieskaitot PVN)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Izvēlēties iepakojuma veidu
5
€ 1,90
Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)
€ 2,299
Katrs (Paka ir 5) (Ieskaitot PVN)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu
5
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena | Per Iepakojums |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,90 | € 9,50 |
50 - 120 | € 1,70 | € 8,50 |
125 - 245 | € 1,60 | € 8,00 |
250 - 495 | € 1,50 | € 7,50 |
500+ | € 1,40 | € 7,00 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC