Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
131 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO252-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 1,10
Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)
€ 1,331
Katrs (Paka ir 5) (Ieskaitot PVN)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Izvēlēties iepakojuma veidu
5
€ 1,10
Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)
€ 1,331
Katrs (Paka ir 5) (Ieskaitot PVN)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu
5
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena | Per Iepakojums |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,10 | € 5,50 |
50 - 120 | € 0,962 | € 4,81 |
125 - 245 | € 0,907 | € 4,54 |
250 - 495 | € 0,842 | € 4,21 |
500+ | € 0,432 | € 2,16 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
131 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO252-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC