STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS noliktavas nr.: 204-9868Ražotājs: STMicroelectronicsRažotāja kods: STGB30H65DFB2
brand-logo
View all in IGBT tranzistori

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Number of Transistors

1

Package Type

D2PAK (TO-263)

Pin Count

3

Izcelsmes valsts

China

Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk

Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

€ 2,60

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

€ 3,146

Katrs (Paka ir 5) (Ieskaitot PVN)

STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Izvēlēties iepakojuma veidu

€ 2,60

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

€ 3,146

Katrs (Paka ir 5) (Ieskaitot PVN)

STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu

Pirkt iepakojumos

DaudzumsVienības cenaPer Iepakojums
5 - 45€ 2,60€ 13,00
50 - 95€ 2,45€ 12,25
100 - 245€ 1,95€ 9,75
250 - 495€ 1,60€ 8,00
500+€ 1,40€ 7,00

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Number of Transistors

1

Package Type

D2PAK (TO-263)

Pin Count

3

Izcelsmes valsts

China