STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT018W65G3-4AG

RS noliktavas nr.: 482-971Ražotājs: STMicroelectronicsRažotāja kods: SCT018W65G3-4AG
Skatīt visu MOSFET tranzistori

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

HiP247-4

Series

SCT

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Izcelsmes valsts

China

Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

€ 31,00

€ 31,00 Katrs (bez PVN)

€ 37,51

€ 37,51 Katrs (Ieskaitot PVN)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT018W65G3-4AG

€ 31,00

€ 31,00 Katrs (bez PVN)

€ 37,51

€ 37,51 Katrs (Ieskaitot PVN)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT018W65G3-4AG
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk

DaudzumsVienības cena
1 - 4€ 31,00
5+€ 30,10

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

HiP247-4

Series

SCT

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Izcelsmes valsts

China