Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
600 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Package Type
AG-62MM
Configuration
Dual
Channel Type
N
Transistor Configuration
Series
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 262,00
Katrs (bez PVN)
€ 317,02
Katrs (Ieskaitot PVN)
Infineon FF600R12KT4HOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V AG-62MM
Izvēlēties iepakojuma veidu
1
€ 262,00
Katrs (bez PVN)
€ 317,02
Katrs (Ieskaitot PVN)
Infineon FF600R12KT4HOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V AG-62MM
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu
1
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena |
---|---|
1 - 1 | € 262,00 |
2 - 4 | € 249,00 |
5+ | € 238,00 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
600 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Package Type
AG-62MM
Configuration
Dual
Channel Type
N
Transistor Configuration
Series