Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
285 W
Number of Transistors
2
Package Type
AG-34MM
Configuration
Dual
Mounting Type
Chassis Mount
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 106,00
Katrs (bez PVN)
€ 128,26
Katrs (Ieskaitot PVN)
Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount
Izvēlēties iepakojuma veidu
Standarts
1
€ 106,00
Katrs (bez PVN)
€ 128,26
Katrs (Ieskaitot PVN)
Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu
Standarts
1
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena |
---|---|
1 - 4 | € 106,00 |
5 - 9 | € 102,00 |
10 - 49 | € 98,00 |
50+ | € 96,00 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
285 W
Number of Transistors
2
Package Type
AG-34MM
Configuration
Dual
Mounting Type
Chassis Mount