Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

RS noliktavas nr.: 167-970Ražotājs: InfineonRažotāja kods: BSS138N
Skatīt visu MOSFET tranzistori

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Height

1mm

Width

1.3mm

Jūs varētu interesēt
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GRažotājs: onsemi
€ 0,252Katrs (Paka ir 25) (bez PVN)
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

P.O.A.

Katrs (Paka ir 100) (bez PVN)

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Izvēlēties iepakojuma veidu

Standarts

Izvēlēties iepakojuma veidu

Standarts - each

Pieejams komplektos pa 100.

Ražošana -

Pieejams komplektos pa 100.

Ieteicams pasūtot lielos daudzumos. Preces ir iepakotas gatavas ievietošanai iekārtās, kas ļauj uzlabot ražošanas efektivitāti.

100

Pieejams komplektos pa 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Katrs (Paka ir 100) (bez PVN)

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu

Standarts

Izvēlēties iepakojuma veidu

Standarts - each

Pieejams komplektos pa 100.

Ražošana -

Pieejams komplektos pa 100.

Ieteicams pasūtot lielos daudzumos. Preces ir iepakotas gatavas ievietošanai iekārtās, kas ļauj uzlabot ražošanas efektivitāti.

100

Pieejams komplektos pa 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk

Jūs varētu interesēt
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GRažotājs: onsemi
€ 0,252Katrs (Paka ir 25) (bez PVN)

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Height

1mm

Width

1.3mm

Jūs varētu interesēt
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GRažotājs: onsemi
€ 0,252Katrs (Paka ir 25) (bez PVN)