STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT025W120G3-4AG

RS noliktavas nr.: 482-973Ražotājs: STMicroelectronicsRažotāja kods: SCT025W120G3-4AG
Skatīt visu MOSFET tranzistori

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

HiP247-4

Series

SCT

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Izcelsmes valsts

China

Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

€ 32,10

€ 32,10 Katrs (bez PVN)

€ 38,84

€ 38,84 Katrs (Ieskaitot PVN)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT025W120G3-4AG

€ 32,10

€ 32,10 Katrs (bez PVN)

€ 38,84

€ 38,84 Katrs (Ieskaitot PVN)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT025W120G3-4AG
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams

Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk

DaudzumsVienības cena
1 - 4€ 32,10
5+€ 31,20

Tehniskie dokumenti

Specifikācija

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

HiP247-4

Series

SCT

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Izcelsmes valsts

China