Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Jūs varētu interesēt
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VRažotājs: Semikron Danfoss
€ 389,62Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 400,00
€ 400,00 Katrs (bez PVN)
€ 484,00
€ 484,00 Katrs (Ieskaitot PVN)
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Izvēlēties iepakojuma veidu
Standarts
1
€ 400,00
€ 400,00 Katrs (bez PVN)
€ 484,00
€ 484,00 Katrs (Ieskaitot PVN)
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu
Standarts
1
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Daudzums | Vienības cena |
---|---|
1 - 1 | € 400,00 |
2 - 3 | € 360,00 |
4 - 5 | € 324,00 |
6 - 7 | € 292,00 |
8+ | € 263,00 |
Jūs varētu interesēt
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VRažotājs: Semikron Danfoss
€ 389,62Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Jūs varētu interesēt
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VRažotājs: Semikron Danfoss
€ 389,62Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)