Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/-20V
Maximum Power Dissipation
515 W
Number of Transistors
7
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 229,00
€ 229,00 Katrs (bez PVN)
€ 277,09
€ 277,09 Katrs (Ieskaitot PVN)
Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V
Izvēlēties iepakojuma veidu
Standarts
1
€ 229,00
€ 229,00 Katrs (bez PVN)
€ 277,09
€ 277,09 Katrs (Ieskaitot PVN)
Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Izvēlēties iepakojuma veidu
Standarts
1
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Daudzums | Vienības cena |
---|---|
1 - 1 | € 229,00 |
2 - 2 | € 224,00 |
3+ | € 202,00 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/-20V
Maximum Power Dissipation
515 W
Number of Transistors
7