1. View more
  2. / Diskrētie pusvadītāji /

IGBT tranzistori

IGBT (insulated-gate bipolar transistors) are semiconductors mainly used as switching devices to allow or stop power flow. They have many benefits as a result of being a cross between two of the most common transistors: Bipolar transistors and MOSFET. RS have a curated range of IGBTs from a multitude of trusted brands, including Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, and many more. You...

Attēlo 1-20 no 1383 produktiem

Filtrs

Šķirot

Filtrs

Šķirot

Atbilstība
Cena (augstāk-zemāk)
Cena (zemāk-augstāk)
Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252
Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 253-3500
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDD05N60T

€ 2,36

Katrs (Paka ir 5) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

5

Pieejams komplektos pa 5
5€ 2,36
Pievienot grozam
Bourns
5 A
600 V
±30V
82 W
1
Single Diode
TO-252
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252
Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 253-3499
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDD05N60T

€ 1,331

Katrs (Rulli ir 2500) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

2500

Pieejams komplektos pa 2500
2500€ 1,331
Pievienot grozam
Bourns
5 A
600 V
±30V
82 W
1
Single Diode
TO-252
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247N
Bourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247NBourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247N
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 253-3501
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDNW30N60H3

€ 3,69

Katrs (Tubina ir 600) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

600

Pieejams komplektos pa 600
600€ 3,69
Pievienot grozam
Bourns
30 A
600 V
±20V
230 W
1
Single Diode
TO-247N
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247N
Bourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247NBourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247N
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 253-3503
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDNW30N60H3

€ 5,929

Katrs (Paka ir 2) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

2

Pieejams komplektos pa 2
2€ 5,929
Pievienot grozam
Bourns
30 A
600 V
±20V
230 W
1
Single Diode
TO-247N
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDW20N60T Single Diode IGBT, 20 A 600 V TO-247
Bourns BIDW20N60T Single Diode IGBT, 20 A 600 V TO-247Bourns BIDW20N60T Single Diode IGBT, 20 A 600 V TO-247
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 253-3504
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDW20N60T

€ 3,267

Katrs (Tubina ir 600) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

600

Pieejams komplektos pa 600
600€ 3,267
Pievienot grozam
Bourns
20 A
600 V
±20V
192 W
1
Single Diode
TO-247
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDW20N60T Single Diode IGBT, 20 A 600 V TO-247
Bourns BIDW20N60T Single Diode IGBT, 20 A 600 V TO-247Bourns BIDW20N60T Single Diode IGBT, 20 A 600 V TO-247
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 253-3505
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDW20N60T

€ 5,324

Katrs (Paka ir 2) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

2

Pieejams komplektos pa 2
2€ 5,324
Pievienot grozam
Bourns
20 A
600 V
±20V
192 W
1
Single Diode
TO-247
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDW30N60T Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247
Bourns BIDW30N60T Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247Bourns BIDW30N60T Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 253-3507
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDW30N60T

€ 6,776

Katrs (Paka ir 2) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

2

Pieejams komplektos pa 2
2€ 6,776
Pievienot grozam
Bourns
30 A
600 V
±20V
230 W
1
Single Diode
TO-247
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDW30N60T Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247
Bourns BIDW30N60T Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247Bourns BIDW30N60T Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 253-3506
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDW30N60T

€ 4,054

Katrs (Tubina ir 600) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

600

Pieejams komplektos pa 600
600€ 4,054
Pievienot grozam
Bourns
30 A
600 V
±20V
230 W
1
Single Diode
TO-247
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247
Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 253-3508
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDW50N65T

€ 5,264

Katrs (Tubina ir 600) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

600

Pieejams komplektos pa 600
600€ 5,264
Pievienot grozam
Bourns
50 A
650 V
±20V
416 W
1
Single Diode
TO-247
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247
Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 253-3509
Ražotājs Bourns
Ražotāja kods BIDW50N65T

€ 8,47

Katrs (Paka ir 2) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

2

Pieejams komplektos pa 2
2€ 8,47
Pievienot grozam
Bourns
50 A
650 V
±20V
416 W
1
Single Diode
TO-247
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 248-6694
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM100GB12F4

€ 211,75

Katrs (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

1

Pieejams komplektos pa 1
1€ 211,75
Pievienot grozam
Semikron
100 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 248-6693
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM100GB12F4

€ 124,63

Katrs (Kaste ir 8) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

8

Pieejams komplektos pa 8
8€ 124,63
Pievienot grozam
Semikron
100 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 248-6695
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM150GB12F4

€ 159,72

Katrs (Kaste ir 8) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

8

Pieejams komplektos pa 8
8€ 159,72
Pievienot grozam
Semikron
150 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 248-6696
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM150GB12F4

€ 271,04

Katrs (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

1

Pieejams komplektos pa 1
1€ 271,04
Pievienot grozam
Semikron
150 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 248-6697
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM150GB12F4G

€ 239,58

Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

12

Pieejams komplektos pa 12
12€ 239,58
Pievienot grozam
Semikron
150 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 248-6698
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM150GB12F4G

€ 405,35

Katrs (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

1

Pieejams komplektos pa 1
1€ 405,35
Pievienot grozam
Semikron
150 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 248-6700
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM200GB12F4

€ 479,16

Katrs (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

1

Pieejams komplektos pa 1
1€ 479,16
Pievienot grozam
Semikron
200 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 248-6699
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM200GB12F4

€ 283,14

Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

12

Pieejams komplektos pa 12
12€ 283,14
Pievienot grozam
Semikron
200 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
RS noliktavas nr. 248-6701
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM300GB12F4

€ 342,43

Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

12

Pieejams komplektos pa 12
12€ 342,43
Pievienot grozam
Semikron
300 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VHalf Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Pievienot detaļu sarakstam
Pieejams arī industriālā iepakojumā
RS noliktavas nr. 248-6702
Ražotājs Semikron
Ražotāja kods SKM300GB12F4

€ 580,80

Katrs (bez PVN)

Pārbaudīt noliktavu

1

Pieejams komplektos pa 1
1€ 580,80
Pievienot grozam
Semikron
300 A
1200 V
±15.0V
-
2
Half Bridge
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-

...