Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Izcelsmes valsts
China
Produkta apraksts
MOSFET Transistors, Toshiba
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
€ 3,50
Katrs (tiek piegadats lepakojuma) (bez PVN)
€ 4,235
Katrs (tiek piegadats lepakojuma) (Ieskaitot PVN)
2
€ 3,50
Katrs (tiek piegadats lepakojuma) (bez PVN)
€ 4,235
Katrs (tiek piegadats lepakojuma) (Ieskaitot PVN)
2
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena | Per Maiss |
---|---|---|
2 - 18 | € 3,50 | € 7,00 |
20 - 38 | € 3,10 | € 6,20 |
40 - 98 | € 2,70 | € 5,40 |
100 - 498 | € 2,55 | € 5,10 |
500+ | € 2,40 | € 4,80 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Izcelsmes valsts
China
Produkta apraksts