Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
SemikronMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
Lūdzu pārbaudiet vēlreiz vēlāk
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
€ 233,00
Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)
€ 281,93
Katrs (Kaste ir 12) (Ieskaitot PVN)
Semikron SKM150GB12F4G Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
12
€ 233,00
Katrs (Kaste ir 12) (bez PVN)
€ 281,93
Katrs (Kaste ir 12) (Ieskaitot PVN)
Semikron SKM150GB12F4G Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Noliktavas stāvoklis patreiz nav pieejams
12
Pirkt iepakojumos
Daudzums | Vienības cena | Per Kaste |
---|---|---|
12 - 12 | € 233,00 | € 2 796,00 |
24 - 24 | € 209,00 | € 2 508,00 |
36+ | € 188,00 | € 2 256,00 |
Tehniskie dokumenti
Specifikācija
Brand
SemikronMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge